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產(chǎn)品信息

4H 半絕緣型

SiC單晶襯底

4H Semi-Insulating

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當(dāng)前位置 >4H-半絕緣型襯底
天岳先進(jìn)不斷追求更高的晶體質(zhì)量和加工質(zhì)量
更好的滿足客戶的需求
目前可批量供應(yīng)4英寸和6英寸產(chǎn)品
8英寸產(chǎn)品正在研發(fā)中

*更加詳細(xì)的產(chǎn)品信息歡迎咨詢營銷團(tuán)隊(duì)

>聯(lián)系我們

基本信息

半絕緣型
  • 晶型 4H
  • 直徑（mm） 100 & 150
  • 偏角（°） 0
  • 厚度（μm） 500
  • 表面狀態(tài) Epi-ready

微波射頻器件

通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成HEMT等微波射頻器件，應(yīng)用于信息通訊、無線電探測等領(lǐng)域。

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