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先進技術引領發展!天岳先進攜最新8英寸技術亮相Semicon China
2023-07-01   閱讀量:4500
      2023年6月29日,天岳先進攜8英寸碳化硅襯底最新技術動態亮相Semicon China展會,受到高度關注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導體產業國際論壇公開了公司最新進展。

公司展位備受關注


高超博士介紹公司最近技術進展


       在產品方面,目前公司以6英寸導電型碳化硅襯底為主,滿足全球客戶的需求。產能上,公司上海臨港工廠已經進入產品交付階段,持續發力提升6英寸襯底的產量;晶體質量和厚度持續提升,規模化生產襯底質量穩定可靠。通過自主擴徑技術制備的高品質8英寸產品,目前也已經具備產業化能力。

高超博士介紹8英寸液相法進展


      在技術及研發方面,一直以來,公司持續保持較高的技術研發投入,積極布局前瞻性技術。做為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術,液相法備受關注。通過液相法獲得均勻且高品質的晶體需要對溫場和流場進行控制,具有較高的技術難度,公司在該技術上布局多年。近日,公司采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題,尚屬業內首創。
      除了產品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,采用公司最新技術制備的晶體厚度已突破60mm,而這對提升產能具有重要意義,該技術也是公司重點布局的技術方向之一。
      SiC半導體應用發展進入快車道,特別是在高壓高功率領域優勢更加凸顯,發展加速,新的應用場景不斷涌現,但最關鍵的襯底制備環節具有極高的技術門檻和較長的擴產周期,加劇了供需缺口。公司繼續在產品尺寸、晶體厚度、襯底品質等多維度持續加大研發和技術提升,始終保持領先,引領行業發展。

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