2024年12月11日至13日,全球知名的日本國際半導(dǎo)體展覽會(huì)SEMICON JAPAN在東京隆重舉行,展會(huì)現(xiàn)場人流如織。來自全球的1100多家器件制造商、芯片制造商、設(shè)備供應(yīng)商和材料企業(yè),以及涉足汽車和人工智能等半導(dǎo)體智能應(yīng)用領(lǐng)域的企業(yè)紛紛亮相。全球頂尖企業(yè)機(jī)構(gòu)和技術(shù)專家,共同暢想半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展的美好未來,和對(duì)快速變化的行業(yè)市場的豐富洞察。
在這場科技盛宴中,作為全球碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),天岳先進(jìn)展示了備受矚目的12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底,以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高品質(zhì)低阻P型碳化硅襯底及高純半絕緣型襯底等多款全球領(lǐng)先產(chǎn)品,成為展會(huì)焦點(diǎn)。
全球首枚12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底,改寫了碳化硅襯底歷史,引起國際廣泛關(guān)注。12英寸碳化硅襯底的面積是8英寸的2.25倍,可使用率約為8英寸的2.5倍左右,單片碳化硅片產(chǎn)出更多晶片。超大尺寸襯底拓寬了下游應(yīng)用場景,對(duì)行業(yè)的未來應(yīng)用具有里程碑式的意義。
業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的6英寸高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底,已實(shí)現(xiàn)客戶成功交付驗(yàn)證,極大加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進(jìn)程,未來將會(huì)更多應(yīng)用于以智能電網(wǎng)為代表的更高電壓領(lǐng)域。天岳先進(jìn)高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底使用液相法制備,在長晶原理上決定了可以生長超高品質(zhì)的碳化硅晶體,電阻率小于200mΩ·cm,面內(nèi)電阻率分布均勻,結(jié)晶性良好。4度偏角P型襯底可以直接用于外延和器件制造,彌補(bǔ)了行業(yè)空缺,激發(fā)了市場的極大興趣。
天岳先進(jìn)面向行業(yè)客戶和產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴展示了第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)優(yōu)勢,展現(xiàn)其在碳化硅材料領(lǐng)域的卓越成就
展期內(nèi),天岳先進(jìn)也與全球同行共同探討化合物半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。分享天岳先進(jìn)在碳化硅襯底領(lǐng)域的最新研究成果,以及通過技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展。通過國際交流與合作,天岳先進(jìn)攜手行業(yè)上下游共同探討推進(jìn)化合物半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程。
天岳先進(jìn)將秉持“先進(jìn) 品質(zhì) 持續(xù)“的發(fā)展理念,與合作伙伴攜手并進(jìn),共同構(gòu)筑低碳數(shù)智未來!